半导体制程现在早已超过了14nm节点，10nm之后的生产工艺更加艰难，必须EUV即紫外光刻有这样的新一代半导体生产设备。在EUV工艺上，原本领头的Intel公司实力雄厚，多次回应就算没EUV设备，他们也不会生产7nm工艺的晶体管，不过TSMC现在把赌局压在了EUV上，现在与ASML公司联手将EUV设备的每日生产能力提高到了1000片晶圆，距离简单为期不远了。 TSMC计划在2016年的10nm节点上就落成EUV工艺，所以他们现在对EUV工艺是最热心的，只不过EUV设备目前还是新技术，生产能力上不去，此前IBM与ASML建构的记录是每天处置637片晶圆。
现在TSMC与EUV的希望下，EUV光刻设备在90W光源下构建了每天1022片晶圆的处理速度。 1000片晶圆/天的生产能力对EUV工艺来说是个新的里程碑，超过1500片晶圆/天的生产能力之后EUV设备才不具备经济效益，这也是ASML与EUV的下一个目标。
目前1000片晶圆/天的生产能力是ASML公司NXE：3300B设备构建的，其升级型号NXE：3350B将超过1500片晶圆/天的生产能力。 TMSC公司目前上马了最少四套EUV光刻设备，并想在2016年底的10nm工艺上尽早落成EUV工艺。不过ASML公司回应推倒不是很悲观，最少之前2018年才能大规模用于。
2016年底就算能落成EUV工艺，初期也不能用在一些小而且非常简单的芯片上，比如逻辑电路、DRAM及NAND存储器等，简单的SoC处理器还得等等。
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